|
|
|
|
Быстродействующие и сверхбыстродействующие фотодиоды | ИК диапазон
|
Компанией ООО "АИБИ" (IBSG Co., Ltd.) в сотрудничестве с лабораторией ИК оптоэлектроники ФТИ им. А.Ф. Иоффе для спектрального диапазона 1.2-2.4 мкм на основе гетероструктуры GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb созданы быстродействующие (диаметр 100 мкм), а также сверхбыстродействующие фотодиоды с разделенными чувствительной (диаметр 50 мкм) и контактной мезами, мостиковым фронтальным контактом. Основным достоинством гетероструктуры GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb является высокое качество эпитаксиальных слоёв с низкой плотностью дислокаций несоответствия (104 см−2). Уровень легирования активного слоя (1014-1015 см−3) позволяет добиться низкой электрической ёмкости фотодиода и получить его высокое быстродействие.
Быстродействующий фотодиод PD24-01-HS имеет низкую собственную ёмкость 0.9-1.2 пФ при обратном смещении 3.0 В за счёт низкого уровня легирования активного слоя 1014-1015 см−3. Быстродействие pin-фотодиодов исследовалось при накачке ультракороткими импульсами излучения от полупроводникового лазера с длиной волны λ=1.3 мкм. Полуширина импульса накачки составляла 25 пс. Быстродействие фотодиода, определяемое по времени нарастания импульса фотоотклика на уровне 0.1-0.9, составило величину t0.1-0.9=130-150 пс. Полоса пропускания фотодиодов достигает значения 2 ГГц (подробнее см. *.pdf).
Сверхбыстродействующий фотодиод PD24-005-HS имеет низкую собственную ёмкость 0.5-0.9 пФ при обратном смещении 3.0 В за счёт низкого уровня легирования активного слоя 1014-1015 см−3, а также благодаря уникальной конструкции чипа с разделенными чувствительной (диаметр 50 мкм) и контактной мезами, соединённых мостиковым фронтальным контактом. Быстродействие pin-фотодиодов исследовалось при накачке ультракороткими импульсами излучения от полупроводникового лазера с длиной волны λ=1.3 мкм. Полуширина импульса накачки составляла 25 пс. Быстродействие фотодиода t0.1-0.9, составляет величину 50-100 пс. Полоса пропускания фотодиодов достигает 5 ГГц. Фотодиоды характеризуются низкой величиной обратных темновых токов ID=200-1500 нА при обратном смещении U=−(0.5-3.0) В, высокими значениями токовой монохроматической чувствительности SI=1.10-1.15 A/Вт и обнаружительной способности D*(λmax,1000,1)=0.9·1011 Вт−1·Гц½·см на длинах волн 2.0-2.2 мкм (подробнее см. *.pdf).
- Фотодиоды серии PD24 для спектрального диапазона 0.8-2.4 мкм
PDXX-YYY-HS – модель быстродействующего фотодиода на корпусе SMA
PDXX-YY-HS – модель быстродействующего фотодиода на корпусе ТО-18 или TO-46
|
|
